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基于微波技术扫描电容显微镜原理及应用

在“扫描电容显微镜(SCM)”诞生之前,研究人员、半导体芯片制造商,以及失效分析工程师们无法观察到掺杂水平、掩模和注入对齐的细微变化或误差,以及这些误差所导致的器件失效。SCM的发明让工程师们能够进行亚微米级别的器件探测,并在器件制造和故障分析过程中找到问题所在。基于微波技术“扫描电容显微镜(SCM)”本质上是一种纳米级电学原子力显微成像技术。它利用微波射频(RF)信号来探测样品的局部电学特性,测量自由载流子的浓度和类型(p型和n型)等。

牛津仪器Asylum Research 推出全新一代的SCM不但能够帮助用户实施这些研究,并且还具有上一代产品所没有的优势。其独特的功能包括:更高的灵敏度、更快的成像速度、更高的分辨率,以及直接的电容测量,而不仅仅是微分电容(dC/dV)。对于使用者来说,更高的带宽带来了测量灵敏度更高、更准确,全新一代的SCM可以检测到低至1 aF分辨率的电容变化;扫描速度可以提高20倍以上,大大提高了检测效率;传统SCM不能直接测量电容,牛津仪器不仅测量微分电容(dC/dV),还可以直接测量电容,从而简化了对SCM数据的解释;智能化扫描,自动优化参数,使测量更加简单,同时保证数据的可重复性;样品种类广泛,不仅用于半导体材料,而且可以探测金属、绝缘体,以及传统半导体设备以外的非线性材料,包括那些不会形成天然氧化物的材料;采用普通导电探针,测试成本大大降低。基于微波技术SCM技术进展必将大大拓展SCM的应用领域。

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基于微波技术扫描电容显微镜原理及应用
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