纳米级依时性介电击穿（NanoTDDB）

利用NanoTDDB™，能够实现介质击穿表征的纳米级精度。操作时可以施加恒定的电压，或逐渐增加的偏压（最高达±220 V），同时利用一个导电的原子力显微镜探针来监测电流 （适用于除Origin型号以外所有的MFP-3D AFM。使用MFP-3D Infinity时，电压范围是±150 V）。

• 凭借原子力显微镜探针针尖的空间分辨率，可以实现在更小尺度上（与使用传统的探针台相比）进行介质击穿(~20 nm)的局部测量。

• 可以从高分辨率图像中准确地选择测量点，或者对网格点进行成像和分析。

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